聚灿光电申请一种抗EOS高性能LED外延结构及其制备方法专利，显著提升LED的抗EOS能力
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2025-07-05 19:32:14
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金融界2025年6月28日消息，国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“一种抗EOS高性能LED外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN120224867A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种抗EOS高性能LED外延结构及其制备方法，外延结构包括衬底，在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂UGaN层、高阻SiC过渡层、N型GaN层；SiC/AlN/AlGaN超晶格层、多量子阱（MQW）有源层、P型AlGaN层、P型GaN层。本发明在NGaN层下方插入高阻SiC过渡层，在电流路径中引入高阻区域，从而限制电流峰值；在MQW层下方插入SiC/AlN/AlGaN超晶格层，通过超晶格结构的应力缓冲效应和界面优化特性，有效抑制瞬态电流峰值，提高电流分布的均匀性，显著提升LED的抗EOS能力，同时降低缺陷密度，改善器件可靠性。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目40次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息171条，此外企业还拥有行政许可31个。
来源：金融界
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