绕开EUV封锁！国产存储芯片，开创“两步循环刻蚀”新工艺突围_区块链

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2026-09-08 07:44:10

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出品 | 搜狐财经-天机制造局

文案、剪辑 | 王泽红

你相信吗？没有EUV光刻机，也能造出先进存储芯片。

刚刚，北方华创在IEEE期刊发论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大突破，开发出一种叫"两步循环刻蚀"的新工艺。

这套工艺，很有可能帮长鑫绕过EUV光刻机的封锁，直接把3D DRAM给量产出来。

过去十几年，DRAM的迭代逻辑是二维微缩——把晶体管平铺在硅片上，19纳米、17纳米，存储单元越刻越小，到7纳米以下只能靠EUV。

但EUV只有荷兰能造，一台卖十几个亿，咱们被严格封锁、根本买不到。

3D 路线是DRAM技术演进的下一阶段——就是把晶体管从二维平面，转向三维垂直堆叠。一层不够就摞几十层，靠堆叠来提高存储密度。层数越多，容量越大，对最先进光刻机的依赖反而越低。

但要盖好这栋“芯片大楼”，有一道世界级难题：需要在几十层硅和硅锗交替堆叠的材料中，精准掏空硅锗层、留下硅骨架搭电路，还不能伤到硅。

北方华创的“两步循环刻蚀工艺”，解决的就是这个难题：

首先是"刻"，用不带电的氟自由基，定点刻蚀，只啃硅锗层；

其次是"清"，把刻出来的副产物清理干净，保证能一直往下钻。

刻一刀，清一次渣，循环往复，一路干到第64层。

这套组合拳打下来，刻掉500层硅锗才伤1层硅；200纳米深夹层损耗不到1纳米，相当于头发丝的七万分之一；64层堆叠均匀度超95%，数据指标达到国际一流水准。

它最大的价值在于，能让国产存储绕开光刻封锁。

三星、SK海力士、美光都在用EUV继续微缩，长鑫存储却被卡在门外。如果长鑫能整合北方华创的刻蚀设备和"两步循环刻蚀"新工艺，极有可能在3D堆叠赛道上，拿到与国际巨头同台竞技的入场券。

你认为，这条路线从论文发表到量产之间，还有多远？评论区聊聊

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