晶能光电申请增强抗EOS能力的LED外延结构及其制备方法、Micro LED芯片专利，避免过大电流可能对芯片造成的损害_区块链

晶能光电申请增强抗EOS能力的LED外延结构及其制备方法、Micro LED芯片专利，避免过大电流可能对芯片造成的损害

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2026-05-30 00:08:05

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国家知识产权局信息显示，晶能光电股份有限公司申请一项名为“增强抗抗EOS能力的LED外延结构及其制备方法、Micro LED芯片”的专利，公开号CN122094256A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供了一种增强抗EOS能力的LED外延结构及其制备方法、Micro LED芯片，在外延结构中采用高电子迁移率的多沟道二维电子气结构，面对浪涌电流时，能有效地逐层进行横向扩展和分散，从而避免过大电流可能对芯片造成的损害；另外，在准备层表面的GaN插入层采用强烈的各向异性厚度分布增加了六角孔尖端处的载流子输运势垒，使得浪涌电流在六角孔洞尖端的聚集受到抑制，在不影响空穴注入和LED芯片光效的情况下，进一步提高了LED芯片的抗EOS能力。

天眼查资料显示，晶能光电股份有限公司，成立于2006年，位于南昌市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本38927.9181万人民币。通过天眼查大数据分析，晶能光电股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息272条，此外企业还拥有行政许可91个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业能力电流光电股份投资芯片 Micro 外延结构专利

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